穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數(shù)值，在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流驟然增大，稱為擊穿，在這一臨界擊穿點上，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變化，而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近，從而實現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的。MBR1045CT是什么類型的管子？上海肖特基二極管MBR3060PT

是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。1．性能特點1）反向恢復(fù)時間反向恢復(fù)時間tr的概念是：電流通過零點由正向變換到規(guī)定低值的時間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的關(guān)鍵技術(shù)指標。反向回復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=。當t≤t0時，正向電流I=IF。當t＞t0時，由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷?，因此正向電流快速下降，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR慢慢增大；在t=t2日子達到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用，反向電流慢慢減少，并在t=t3日子達到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相像之處。2）快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與一般而言二極管不同，它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I，組成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向回復(fù)電荷很小，減少了trr值，還減低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓。快回復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進一步減少，使其trr可低至幾十納秒。上海肖特基二極管MBR3060PTMBRF20200CT是什么類型的管子？

在高溫下能夠穩(wěn)定的工作，它在功率器件領(lǐng)域很有應(yīng)用前景。目前國際上報道的幾種結(jié)構(gòu)：UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOSACCUFET，以及SIAFET等。2008年報道的雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS，具有1550V阻斷電壓.[1]碳化硅肖特基二極管2碳化硅肖特基二極管SBD在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子的注入和儲存，因而反向恢復(fù)電流小，關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗小。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大，硅的肖特基勢壘較低，硅SBD的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在150℃以上工作。然而，碳化硅SBD彌補了硅SBD的不足，許多金屬，例如鎳、金、鈀、鈦、鈷等，都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度1eV以上的肖特基接觸。據(jù)報道，Au/4H-SiC接觸的勢壘高度可達到eV，Ti/4H-SiC接觸的勢壘比較低，但也可以達到eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬，低至eV，高可達eV。于是，SBD成為人們開發(fā)碳化硅電力電子器件首先關(guān)注的對象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結(jié)合的理想器件。目前國際上相繼研制成功水平較高的多種類的碳化硅器件。[1]SiC肖特基勢壘二極管在1985年問世，是Yoshida制作在3C-SiC上的。

所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中散播。顯然，金屬A中并未空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不停從B散播到A，B表面電子濃度日益減低，表面電中性被毀壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場功用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當成立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的抵消，便形成了肖特基勢壘。特基二極管和整流二極管的差異肖特基（Schottky）二極管是一種快回復(fù)二極管，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其明顯的特色為反向回復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航?。肖特基（Schottky）二極管多當作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、維護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管用到。常用在彩電的二次電源整流，高頻電源整流中。肖特基二極管與一般整流二極管有什么差別呢？肖特基二極管與一般整流二極管相比之下特別之處在于哪里？就讓我們一齊深造一下。由半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特點使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。MBRF30200CT是什么類型的管子？

肖特基二極管是通過金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重摻雜的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。中文名碳化硅肖特基二極管外文名Schottkybarrierdiode目錄11碳化硅?碳化硅材料的發(fā)展和優(yōu)勢?碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀22碳化硅肖特基二極管?肖特基接觸?肖特基勢壘中載流子的輸運機理碳化硅肖特基二極管1碳化硅碳化硅肖特基二極管碳化硅材料的發(fā)展和優(yōu)勢碳化硅早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但因其制備時的工藝難度大，并且器件的成品率低，導(dǎo)致了價格較高，這影響了它的應(yīng)用。直到1955年，生長碳化硅的方法出現(xiàn)促進了SiC材料的發(fā)展，在航天、航空、雷達和核能開發(fā)的領(lǐng)域得到應(yīng)用。1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進入市場，并應(yīng)用于石油地熱的勘探、變頻空調(diào)的開發(fā)、平板電視的應(yīng)用以及太陽能變換的領(lǐng)域。碳化硅材料有很多優(yōu)點，如禁帶寬度很大、臨界擊穿場強很高、熱導(dǎo)率很大、飽和電子漂移速度很高和介電常數(shù)很低如表1-1。首先大的禁帶寬度，如4H-SiC其禁帶寬度為eV，是硅材料禁帶寬度的三倍多，這使得器件能耐高溫并且能發(fā)射藍光；高的臨界擊穿場強，碳化硅的臨界擊穿場強(2-4MV/cm)很高。肖特基二極管有哪些優(yōu)缺點？上海肖特基二極管MBR3060PT

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肖特基SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的，因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面：1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時間。故開關(guān)速度非?？?，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點，但其反向擊穿電壓比較低，約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。二、產(chǎn)品介紹1.規(guī)格采用特殊的封裝工藝生產(chǎn)出GR系列共陰肖特基二極管模塊，具有低損耗、超高速、多子導(dǎo)電、大電流、均流效果好等優(yōu)點。特別適合6V～24V高頻電鍍電源，同等通態(tài)條件下比采用快恢復(fù)二極管模塊，底板溫度低14℃以上，節(jié)能9%～13%。上海肖特基二極管MBR3060PT

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